熹联光芯:持续钻研硅光技术,推动数字化进程

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级,奖项扩展至35个、榜单增至59项,不仅在形式和深度上焕然一新,而且分类更加科学全面,产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任,获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓,激发产业创新潜能,树立产业新标杆。

【候选企业】苏州熹联光芯微电子科技有限公司(以下简称:熹联光芯)

【候选奖项】年度技术突破奖

集微网消息,凭借高带宽、小尺寸、低能耗和低成本等优势,硅光技术在通讯和高速运算领域极具发展潜力,可广泛应用于数据中心、电信、生医感测、量子运算、 消费电子等领域。根据Yole的预测,硅光市场将从2020年的约0.87亿美元增长到2025年的约11亿美元,复合年增长率达49%。

目前,国内很多厂商都在积极布局硅光技术,熹联光芯是其中的代表性企业之一,已实现一系列突破。

熹联光芯成立于2020年,致力于打造硅光领先技术平台,努力推动全球5G通信、数据中心及各项数字化进程。为了快速实施在硅光领域的战略布局,熹联光芯于2021年完成对德国sicoya GmbH的100%股权并购。熹联光芯以苏州为全球总部,以柏林公司为欧洲总部,在上海和柏林设有研发中心。

熹联光芯拥有由中外博士、硕士学位的多位核心技术和管理人员所组建的一支极具竞争力的团队,已掌握硅光领域全套核心技术,涵盖芯片、引擎、模块的开发、设计、流片、加工制造等,能够满足客户的多样化需求。

自成立以来,熹联光芯便一直贯彻“科研兴企”的思想,申请超过100项知识产权,其中已授权80项。

熹联光芯研发出一系列具有自主知识产权的产品,“800G DR8高速硅光调制芯片”便是代表性产品之一。

800G DR8高速硅光调制芯片采用硅基光电子集成技术,将高速硅基电光调制器、锗波导探测器、热光相移器、光分路器、端面耦合器等有源及无源器件集成到硅基衬底上,采用与CMOS工艺相兼容的工艺实现800G DR8高速硅光调制芯片的规模化量产。

该产品自研发立项以来,已授权相关发明专利3件,实用新型专利5件,主要具备四大关键技术及创新点:

1、硅基行波马赫曾德调制器特殊结构设计,包括:行波电极优化、硅波导结构优化、硅内部PN结掺杂优化,提升调制器整体性能;

2、锗波导探测器特殊结构设计,包括:锗波导结构优化、硅/锗耦合端面结构优化、硅/锗内部掺杂优化,提升探测器整体性能;

3、基于氮化硅绝热变化波导的端面耦合器特殊结构设计,保证激光器、单模光纤阵列与硅光波导的低损耗耦合;

4、硅基波导无源器件结构优化设计,保证硅光芯片片上插损低、波长相关性低、工艺容差敏感度低。

在应用方面,800G DR8 硅光芯片PIC主要用于数据中心2KM以下市场,主要客户为聚焦于高速产品的光模块制造商。目前,该产品已在业界主流客户处送样测试,在TDECQ、功耗、带宽、误码率等方面表现优异。

此外,和业界目前主流交换机厂家联合测试后,基于此硅光芯片PIC的LPO光模块核心参数误码率远优于同行平均水平e-8到e-9,可达到e-11到e-12水平。

面向5G与云计算时代,熹联光芯将放眼全球,持续钻研硅光技术,以数字化的方式给人们的行为和日常生活带来积极影响。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办,奖项申报已启动,目前征集与候选企业/机构报道正在进行中,欢迎报名参与,共赴行业盛宴!

【年度技术突破奖】

“年度技术突破奖”旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平,未来或产生重大经济社会效益,对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域,2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平;

2、产品应用范围广,具有良好市场前景,对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性(50%);

2、技术或产品的主要性能和指标 (30%);

3、产品的市场前景及经济社会效益(20%)。


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