瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产

近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性

第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。

同时在核心指标上，第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²，达到国际第一梯队的水平。同时，第三代产品的开关损耗，对比第二代产品进一步降低30%以上。

而且，第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低，在高温运行情况下，导通电阻增加较少。如下图所示，当Vgs=15V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。

在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。