版主 瞻芯电子7周年，累计交付SiC MOSFET逾千万颗
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称：瞻芯电子）
【候选奖项】年度技术突破奖
2017年，上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）在上海成立，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片产品，并围绕碳化硅（SiC）应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
自创立以来，瞻芯电子即布局开发6英寸SiC MOSFET工艺设计和研发工作，掌握了SiC MOSFET和SBD全套工艺技术平台，开发了650V-3300V SiC MOSFET和650V-2000V SiC SBD产品系列，且产品核心参数处于国际一流水平。公开信息显示，瞻芯电子是我国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅（SiC）MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅（SiC）晶圆厂。
TrendForce统计显示，2023年全球碳化硅功率器件市场中，全球TOP5的国际厂商占据91.8%，其中高端的导通电阻20 mΩ以下的大电流SiC MOSFET市场几乎由国际厂商垄断。
瞻芯电子是国内少有的整合SiC晶圆设计与制造（IDM）的半导体公司，掌握6英寸SiC MOSFET全套工艺技术的公司，且持续迭代开发3代1200V 大电流SiC MOSFET高端产品，突破了国际厂商垄断。
此次，瞻芯电子以“第3代碳化硅（SiC）MOSFET产品（代表型号：IV3Q12013T4Z/BA/BD，IV3Q12035T4Z/D7Z）”竞逐IC风云榜“年度技术突破奖”。
据介绍，第3代SiCMOSFET产品是依托瞻芯电子车规级SiC晶圆厂开发的最新产品，涵盖750V/1200V/3300V电压平台。其中最重磅的第3代1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片产品，尺寸为5*5mm，且产品可靠性通过了AEC-Q101和Beyond-AECQ的测试，关键指标达到国际一流水平。该系列产品主要用于车载电驱、高性能电源，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动厂商的项目定点。
在技术指标创新上，第3代1200V SiC MOSFET相比第2代工艺，元胞的Pitch缩小超过20%。在核心指标方面，在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Ron.sp降低至2.5mΩ*cm²，且在高温下的导通电阻Ron温升系数，达到国际领先水平。
新产业版图纲举目张。成立7周年以来，瞻芯电子已有订单和送样客户超1000家。截至今年9月，SiC MOSFET产品累计交付逾1000万颗，其中车用SiC MOSFET出货超400万颗，在汽车领域的应用占据主导地位，产品的长期可靠性得到市场充分验证。值得一提的是，最新的第3代SiCMOSFET凭借优异的产品性能，不仅赢得多家EV主驱项目定点，还全面突破光伏、储能、充电桩市场，展现了强大的市场竞争力。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
该奖项旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
技术的原始创新性；（50%）
技术或产品的主要性能和指标；（30%)
产品的市场前景及经济社会效益；（20%）
