美光：AI需求将激增，EUV DRAM将于2025年投产

随着人工智能（AI）技术从云服务器扩展到消费设备，对AI的需求不断增长，美光科技已将其高带宽内存（HBM）生产能力完全分配给2025年。公司副总裁兼美光中国台湾负责人Donghui Lu表示，美光正利用AI需求的激增，并预计2025年性能将有所提高。

Donghui Lu强调，特别是大型语言模型的出现，对内存和存储解决方案产生了前所未有的需求。作为全球最大的存储制造商之一，美光完全有能力利用这一增长。他认为，尽管最近AI投资激增，主要集中在建立新的数据中心以支持大语言模型，但这一基础设施仍在建设中，需要几年时间才能完全开发。

美光科技预计，下一波AI增长将来自将AI集成到智能手机和个人电脑等消费设备中。这一转变将需要显着增加存储容量以支持AI应用。Donghui Lu介绍，HBM涉及先进封装技术，它结合了前端（晶圆制造）和后端（封装和测试）工艺元素，给行业带来新的挑战。

在竞争激烈的存储行业中，公司开发和改进新产品的速度至关重要。Donghui Lu解释说，HBM生产可能会蚕食传统内存生产，因为每个HBM芯片都需要多个传统内存芯片，这可能会给整个行业产能造成压力。他指出，内存行业供需之间的微妙平衡是重大问题，并警告生产过剩可能导致价格战和行业衰退。

Donghui Lu强调了中国台湾在美光AI业务中的作用，该公司在中国台湾的重要研发团队和制造设施对于HBM3E开发和生产至关重要。美光HBM3E产品通常与台积电的CoWoS技术集成，这种密切合作提供了显著优势。

认识到EUV技术对于提高存储芯片性能和密度的重要性，美光已决定推迟在1α和1β节点的采用，选择优先考虑性能和成本效益。Donghui Lu强调了EUV设备的高成本和复杂性，以及为适应它需要在制造过程中进行的重大改变。美光的主要目标是以具有竞争力的成本生产高性能存储产品。他表示，推迟采用EUV使他们能够更有效地实现这一目标。

美光一直表示，其8层和12层HBM3E比竞争对手产品功耗低30%。公司计划于2025年在中国台湾大规模生产将采用EUV的1γ节点。此外，美光还计划在其日本广岛工厂引入EUV，尽管时间稍晚。（校对/张杰）