联电推嵌入式高压工艺22eHV，以面向显示器驱动芯片

当地媒体20日报道，联电今日宣布，推出22nm嵌入式高压(eHV)技术平台，面向显示器驱动芯片领域。

为迎接AMOLED应用于智能手机上的成长需求，联电推出22nm的eHV平台，相较于28nm的eHV制程，耗能降低达30%。新的显示器驱动芯片(DDIC)解决方案不仅具备业界最小的SRAM位元，缩减芯片面积的同时，加速高分辨率图像的处理速度与回应时间。

报道指出，除22nm外，联电的开发团队正持续将eHV产品组合扩展到FinFET制程，以因应显示器未来发展趋势。目前，联电在28nm小尺寸面板DDIC的全球纯晶圆代工市占率超90%。（校对/陈炳欣）