芯和半导体“一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质”专利公布

天眼查显示，芯和半导体科技（上海）股份有限公司“一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质”专利公布，申请公布日为2024年5月14日，申请公布号为CN118036112A。

本申请公开了一种高密度电容板的建模方法、装置、设备及介质，包括以下步骤：根据用户输入的建模参数，调取预建立的工艺模板库中的电容板模板；根据所述建模参数分别计算得到所述电容板模板的金属层参数、触点参数、通孔参数和顶层通孔参数；根据所述电容板模板、所述金属层参数、所述触点参数、所述通孔参数和所述顶层通孔参数建立目标电容板模型。本申请的技术方案提高了建模效率，便于用户快速准确的建立高密度电容板模型。