芯能半导体“一种带ESD结构的IGBT芯片及其制作方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，深圳芯能半导体技术有限公司近日取得一项名为“一种带ESD结构的IGBT芯片及其制作方法”的专利，授权公告号为CN116779666B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年8月22日。

本发明提供了一种带ESD结构的IGBT芯片及其制作方法，该芯片包括：自上而下的顶层金属区、ESD结构、多晶硅区、N+发射极、P型体区、N型硅衬底、N型场终止区以及P+阳极区；其中，所述多晶硅区的顶部水平形成有一层水平多晶硅，所述水平多晶硅上形成有横向放置的NPN结构以构成所述ESD结构。本发明通过在多晶硅区的顶部水平形成有一层水平多晶硅，所述水平多晶硅上形成有横向放置的NPN结构以构成所述ESD结构，然后使得多晶硅区和接触孔通过ESD结构相连，由于接触孔是与发射极所在的N+区域相连，使得栅极多晶和发射极之间并联了ESD结构，从而保护了栅极和发射极。