版主 芯达茂：SiC MOSFET产品迎重要突破，2023年主营业务收入预计将实现超40%增长
【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项设置扩展至30+，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力更大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。
【候选企业】厦门芯达茂微电子有限公司（以下简称：芯达茂）
【候选奖项】年度技术突破奖、年度最具成长潜力奖
集微网消息，众所周知，与硅基半导体材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，且适用于新能源汽车、光伏等重要领域，因此各国都在加大产业与技术布局，国内企业也争相入局，并取得实质性突破。
成立于2018年的芯达茂，总部位于厦门，由恒远国际、创合鑫材基金、芯筑投资共同发起投资，是一家专注于半导体芯片及方案设计的公司。芯达茂以对标国际一流品牌、实现国产替代为己任，致力于第三代半导体及各类功率器件的研发、设计和应用。
芯达茂拥有一流的第三代半导体与功率器件的国际化研发团队，核心技术骨干均为拥有25年以上丰富专业经验的国际级专家及海内外人才。芯达茂经过多年的产业化研发、量产改进、市场验证，现已提出数十项专利。
成立以来，芯达茂年年都有新突破：2019年首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT大功率模块、车规级SiC芯片面世。
如今，芯达茂的产品已十分丰富，核心产品有IGBT Discrete/PIM/IPM、VD/SJ/SGT MOSFET、Si FRD、SiC MOSFET/SBD/JBS、GaN MOSFET，且产品优势明显，例如，性能与可靠度对标国际领先的一流品牌、功率模块内置自主开发的芯片，以及高压栅极驱动芯片独具创新的隔离技术等。
尤为值得一提的是，芯达茂的1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET产品拥有独特的技术优势。现阶段，芯达茂积累了深厚的知识产权，拥有与功率器件相关的自主知识产权44篇，已授权22篇，申请中22篇，同时拥有与碳化硅MOS相关的自主知识产权2篇，已授权1篇，申请中1篇。得益于此，芯达茂的1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET产品应用了一种新型SiC MOSFET的结构及其制作方法，通过在两P型基区间注入适当剂量的氮离子形成超结N层，使超结N层与P型基区保持电荷平衡，形成超结结构，而且，这并不会制造工艺上的难度，还能保持需求的耐压水平，相较于传统SiC MOSFET能够有效的降低20%的比导通电阻，大大缩小芯片面积，减小了生产成本。
当下，SiC MOSFET在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点，使用碳化硅器件，功率驱动模块集成到了电机内，能够实现了一体化和小型化目标，预计近几年碳化硅器件将广泛应用在国内外的电动汽车上。
而芯达茂的1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET产品的设计十分新颖。放眼市场，目前SiC MOSFET主要是以平面栅技术为主，而芯达茂在平面栅技术上不断迭代，开发第二代1200V40&80mohm SiC MOSFET采用平面栅工艺结合自有专利技术使得其比导通电阻较上一代产品下降了30%，保持技术上的先进性，峰值功率、峰值电流和可靠度，都能满足工业和车规中的应用要求。
因其技术优势，芯达茂的SiC MOSFET产品可适用性很强，包括：
高温应用：由于SiC MOS晶体管具有更高的热稳定性，可以在更高的工作温度下运行，因此适用于高温环境下的应用，如电力电子、汽车、太阳能等领域。
高功率应用：SiC MOS晶体管具有更高的耐电压和更低的导通电阻，因此可以承受更高的电流和功率。因此，它们在高功率应用中表现出色，如电力变换器、电动汽车和航空电子设备等。
快速开关速度：SiC MOS晶体管具有更高的开关速度，可以实现更快的切换和更高的频率响应。因此，它们适用于高速应用，如通信、雷达和无线电领域。
小型化设计：由于SiC MOS晶体管具有更高的电子迁移率和更小的电容，因此它们可以设计成更小的尺寸，冷却系统。
稳定性：1200V超大单芯片SiC MOS 导通电阻可达5mohm，从而能够减小在车用功率模块中并联的芯片颗数，能降低因芯片间差异产生的热失控风险
系统兼容性：SiC MOS晶体管的驱动电压为15V，能够与IGBT的驱动电路相匹配，解决驱动电路难以选择的问题。
芯达茂的1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET产品，可广泛应用EV电机控制、光伏逆变器、DC/DC转换器、交换式电源供应器、负载开关，同时具备节能环保、长寿命、无铅环保减少碳排放等环保先进性。
随着产品领域的突破，即使在半导体行业不景气的当下，预计芯达茂2023年主营业务收入将实现超40%的增长。展望未来，芯达茂仍将秉持“创新致远，高效双赢”的理念，聚焦高端应用领域，致力于“车规级、工业级”芯片的研发，并将持续推进产品开发与技术成果转化，并依托技术、产品、渠道等综合优势，持续创新，成为功率半导体行业的领军企业。
2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性（50%）；
2、技术或产品的主要性能和指标（30%）；
3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）。
【年度最具成长潜力奖】
面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。
【报名条件】
1. 在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，并得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2. 2023年主营业务收入为500万-1亿元的创业企业。
【评选标准】
1、评委会由数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。
