英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案

随着低碳环保理念的推行，以及人们对绿色、便捷出行的需求，移动储能与电动小型动力市场得到快速发展，为了提升电池的安全性以及电池的利用效率，电池保护技术（BMS）亟需进一步提升。

氮化镓（GaN）作为一种新型的半导体材料，具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可实现受控的双向开通与关断，实现传统两颗NMOS对管才能实现的功能。基于此，英诺赛科开发了 VGaN 系列产品并且推向 OVP 及 BMS 应用领域。

48V/180A BMS Demo是基于高边同口BMS应用开发的最新设计方案，设计采用了最新的100V VGaN产品INV100FQ030A，其封装为FCQFN 4mm*6mm，最大导通电阻3.2mΩ，仅用16颗VGaN即可替代18对Si MOSFET（36颗），不仅降低占板面积，减小系统回路阻抗，还能全面降低系统成本。

方案介绍

方案概览

尺寸：

177mm*138mm*12mm

应用器件：

INV100FQ030A*16

规格：

16串48V电池保护应用

最大充放电电流180A

无散热器，最大温升≤50℃

系统框图

该方案为16串高边充放同口电池保护系统，利用VGaN 可受控双向导通及截止的特性，通过VGaN驱动电路，实现正常充放电、充电保护、放电保护、休眠等四种状态。

VGaN BMS系统框图 高边充放同口

器件性能

VGaN 是英诺赛科自研的全球唯一一款双向导通氮化镓功率器件，覆盖 30V-100V，支持双向导通，双向截止功能。INV100FQ030A 采用 4mmX6mm FCQFN 封装，无寄生二极管。在BMS系统应用的优势如下：

可实现1颗VGaN替换2颗 NMOS

导通电阻更低，发热减少，温升更低

占板面积更小

方案优势

系统成本降低

16颗 VGaN 代替18对Si MOSFET（36颗 MOS），降低系统成本

整体面积减小

与 Si MOSFET 方案相比，功率部分开关管数量更少， PCB占板面积更小，节省物料成本以及减少系统重量

应用领域

英诺赛科48V/180A高边同口BMS驱动方案可应用于移动储能、电动车等系统中，如户外便携式储能、户外电源产品，电动两轮车、三轮车等，不仅能帮助终端产品降低温升和系统成本，实现小体积便携优势，还能通过充电和放电控制来优化电池使用寿命，提高电池安全性能。

英诺赛科已针对BMS系统分别推出了高边、低边多种方案，如需了解方案详情，请通过以下邮箱咨询：

黄女士：[email protected]