英诺赛科“用于测量氮化物基半导体器件的动态导通电阻的设备”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司近日取得一项名为“用于测量氮化物基半导体器件的动态导通电阻的设备”的专利，授权公告号为CN115605769B，授权公告日为2024年3月15日，申请日为2022年7月13日。

提供一种用于测量被测器件（DUT）的动态导通电阻的设备。所述设备包括：测试接口，其被配置成用于在所述DUT和测量设备之间联接；第一测量电路，其被配置成用于感测所述DUT的漏极源极电压且生成与所述漏极源极电压成比例的第一测量信号；电流感测电路，其被配置成用于感测从所述DUT的漏极流动到源极的漏极电流且生成电流感测信号；第二测量电路，其被配置成用于接收所述电流感测信号且生成与所述漏极电流成比例的第二测量信号；第一箝位电路，其被配置成用于消除所述第一测量信号中的过冲；第二箝位电路，其被配置成用于消除所述第二测量信号中的过冲。因为消除了所述测量电压信号中的所述过冲，所以缩短了所述测量信号稳定所需的时间。