英飞凌推出全球首创12英寸GaN晶圆技术

英飞凌日前表示，公司已能够在12英寸（300mm）晶圆上生产GaN芯片，该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能（AI）数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示，到本十年末，这项技术市场将达到数十亿美元的规模。

英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White表示，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片数量是8英寸（直径200mm）晶圆的2.3倍。目前，所有尖端处理器芯片都是在12英寸晶圆上制造的，电源芯片行业主要使用8英寸晶圆。

GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高温和高电压下工作的能力而受到青睐。

2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems后，通过双方研发资源的整合和应用人员的协作，产生了许多思想上的碰撞和灵感火花。双方的技术交流与合作，促进了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新，相关的产品系列迅速实现了广泛的扩展。

此外，英飞凌也在碳化硅（SiC）领域布局。今年8月初，英飞凌在马来西亚启动其有史以来最大的功率芯片工厂的生产。该公司表示，一旦马来西亚居林工厂在未来五年内达到满负荷生产，它将成为世界上最大的碳化硅工厂。（校对/孙乐）