荣耀“一种半导体结构及半导体结构的制备方法”专利获授权

天眼查显示，荣耀终端有限公司近日取得一项名为“一种半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，授权公告号为CN116705849B，授权公告日为2024年5月28日，申请日为2022年9月29日。

本申请提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：P型外延层；形成于P型外延层的内部的第一N型掺杂层；交替分布在第一N型掺杂层上的至少一个沟槽和至少一个导通区；至少一个第一接触孔，第一接触孔分布在至少一个沟槽内；每个第一接触孔的一端位于其对应的沟槽的上方，作为半导体结构的漏极引出端，每个第一接触孔的另一端沿其对应的沟槽的深度方向形成至第一N型掺杂层表面；至少一个栅极结构，至少一个栅极结构一一对应分布在至少一个沟槽与至少一个导通区所形成的各个交界处；每个栅极结构的一端位于其所在交界处的沟槽的顶部，另一端沿沟槽的深度方向延伸至沟槽内。本申请的技术方案，能够缩小芯片面积，降低芯片制造成本。