荣耀登榜 | 安世半导体GaN FET获2024行家极光奖优秀产品奖！

在2024年12月12日落幕的行家说三代半年会上，行业内上下游主流企业及行业精英汇聚深圳，共同探讨行业趋势，深化交流合作。安世半导体作为其中的重要一员，凭借其领先产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”荣获「GaN年度优秀产品奖」，这一成就不仅展现了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，也彰显了其在第三代半导体领域深耕多年的成果。

Nexperia GaN产品线资深市场拓展经理成皓先生代表安世半导体领奖。

同期举行的SiC & GaN技术应用创新峰会上，成皓带来了《安世半导体GaN FET如何助力新能源行业创新》的专题报告。

他指出，随着全球对可再生能源的需求不断增长，GaN技术凭借其高效能和高频率特性，正在成为推动新能源设备性能提升的关键因素。目前，安世半导体是业内可同时提供级联型（Cascode）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商，产品具有较低的反向恢复电荷、卓越的温度稳定性等优势，为新能源应用降本增效提供优良方案。

获奖产品

针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET

GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。

这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25℃时仅为33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效体二极管导通压降。