贝茵凯第七代IGBT成果登北京市内刊，引领国产技术突破

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。广泛应用于变频器、逆变器、电动汽车、高铁、可再生能源和工业电力控制系统等对电力转换效率和可靠性要求较高的领域。

截止至2023年末贝茵凯已研发出全系列第七代IGBT芯片，并成功实现大批量生产，成功突破国产化领域的技术壁垒。北京贝茵凯微电子公司专注于高精尖制程功率芯片的研发与应用，凭借自身实力成功研发并批量生产出独具特色的第七代IGBT芯片，预计2024年度销售额有望突破5000万元。这款第七代IGBT产品在性能方面显著优于同类中采用传统制程的IGBT芯片，有效解决了导通损耗与开关损耗难以平衡的问题，具备低导通损耗与低开关损耗的双重优势，适用频率范围也得以拓宽，最高适用频率从15kHz-20kHz提升至30kHz-40kHz，达到国际领先水平；目前，该产品已经通过多家行业领军企业的严格测试与认证，并已在电动汽车、风力发电、光伏逆变器及高端化学储能等领域实现小规模供应。未来，贝茵凯将继续深耕高端应用领域，致力于开发更高压的碳化硅芯片（SiC MOSFET），同时加强与IGBT产品终端用户企业的合作，全力推进国产芯片的替代进程。