重庆三安碳化硅衬底厂主设备进场,预计8月底通线

6月30日,重庆三安主设备进场仪式举行,标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段。

西永微电园消息显示,自去年9月20日正式施工进场以来,经过长达280天的努力,终于迎来了衬底厂主设备入场的重要时刻,比原计划提前了近一个多月,刷新了业界建设速度。

据重庆三安基建负责人透露,项目主厂房已于去年12月完成结构封顶,今年5月完成外墙装饰,6月完成室外道路接驳,目前整体建设进度已完成95%以上,正处于设备进场安装调试的关键阶段,也是收尾攻坚的重要阶段。预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。

三安意法碳化硅项目总规划投资约300亿元人民币,项目达产后将建成全国首条8英寸碳化硅衬底和晶圆制造线,具备年产48万片8英寸碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力,预计营收将达170亿人民币,将有力推动重庆打造第三代化合物半导体之都。(校对/赵碧莹)


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