重庆三安碳化硅衬底厂主设备进场，预计8月底通线

6月30日，重庆三安主设备进场仪式举行，标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段。

西永微电园消息显示，自去年9月20日正式施工进场以来，经过长达280天的努力，终于迎来了衬底厂主设备入场的重要时刻，比原计划提前了近一个多月，刷新了业界建设速度。

据重庆三安基建负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，也是收尾攻坚的重要阶段。预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。

三安意法碳化硅项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币，将有力推动重庆打造第三代化合物半导体之都。（校对/赵碧莹）