铠侠北上市新NAND闪存工厂大楼竣工 2025年秋季投入运营

8月1日，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）宣布，其位于日本岩手县北上市工厂Fab 2（K2）已于7月完工。

铠侠于 2022 年 3 月开始建设 K2 大楼，当时预计这一工厂可于 2023 年内完工。不过在建设过程中，整体 NAND 闪存行业遭遇了一段漫长的低谷期，K2 的建设进度也随之放缓。

据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂。铠侠表示，随着需求复苏，该公司将在密切关注NAND闪存市场趋势的同时逐步进行资本投资。铠侠计划于2025年秋季在K2开始运营。

铠侠表示，虽然新建的NAND Flash工厂要到2025年才投产，但是铠侠在旁边一起建造的行政大楼已经做好准备，部分行政及工程部门将于2024年11月开始入驻办公，以监督Fab 2生产设施的运作。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的资金补贴。