铠侠或将在2027年推出1000层3D NAND

据报道,日本存储厂商铠侠(Kioxia)预计将在2027 年之前做好准备,推出1000层3D NAND。据报道,该公司在最近的一次存储产业公开活动上公开相关计划。这将使单一NAND Flash 颗粒的储存容量扩大三倍以上。

报道强调,为了达到1000 层堆叠的水准,铠侠预计可能改用密度更大的QLC NAND Flash。在当今的相关产品中,最常用的NAND Flash类型仍是TLC 架构。TLC 与QLC 架构最大差别在于每个单元的储存位元。存储位元越多,在位元彼此之间的距离愈发接近,生产制程就变得越加困难。


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