镓仁成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶，未来可期

杭州镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破

2024年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。

2英寸氧化镓单晶

关于镓仁半导体

镓仁半导体自2022年9月成立以来，便以其卓越的科技实力在宽禁带半导体材料领域崭露头角。作为一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，镓仁半导体专注于氧化镓衬底、外延、设备的发展，致力于推动半导体技术的革新。自成立以来，镓仁半导体荣获国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业、浙江省科技型中小企业等荣誉，并成功获得了萧山区“5213”项目（卓越类）和杭州市萧山区领军型创新创业项目的支持，这些荣誉和项目支持彰显了镓仁半导体在技术创新和产业应用方面的领先地位。