长光华芯“一种半导体发光结构及其制备方法、封装模组”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，长光华芯“一种半导体发光结构及其制备方法、封装模组”专利获授权，授权公告日为11月10日，授权公告号为CN116526294B。

图片来源：天眼查

该专利的专利权人为苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司。

专利摘要显示，本发明揭示了一种半导体发光结构及其制备方法、封装模组，半导体发光结构包括：有源层；位于所述有源层一侧的上波导限制结构；所述上波导限制结构包括：上波导层，所述上波导层包括第一子上波导层和第二子上波导层，所述第二子上波导层位于所述第一子上波导层背离所述有源层的一侧；位于所述第二子上波导层中的若干个间隔设置的第一折射率调整件，且所述第一折射率调整件未延伸至第一子上波导层中，所述第一折射率调整件的折射率小于所述第二子上波导层的折射率。有效的提高了电光转换效率。（校对/刘沁宇）