长鑫存储“一种半导体器件制备装置及制备方法”专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司近日取得一项名为“一种半导体器件制备装置及制备方法”的专利，授权公告号为CN115287630B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2022年8月4日。

本公开涉及一种半导体器件制备装置及制备方法，该装置包括气体管道、气体优化系统以及反应腔室；气体管道包括多个气体入口管道；所述反应腔室内部自上而下设置有射频匹配器、气体分配盘、晶圆托盘以及气体排出部；多个气体入口连接所述气体混合优化系统；气体优化系统设置在所述反应腔室外部；气体混合优化系统包括气体搅拌装置和气体过滤装置。气体搅拌装置实现多路气体的均匀分布，气体过滤装置将均匀分布后的多路气体中携带的颗粒杂质有效去除，气体混合优化系统实现混合后的多路气体在PECVD装置反应腔室中的多方向分布，从而使气体电离后形成的等离子体的均匀分布，有效保证等离子体在晶圆上沉积后形成的薄膜的膜厚均匀性以及更少的颗粒表现。