长鑫存储“一种半导体结构及其制备方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“一种半导体结构及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117831581A。

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述结构包括：衬底；位于所述衬底上且分立设置的多个接触插塞，所述接触插塞包括第一接触插塞和第二接触插塞，所述第二接触插塞的高度大于所述第一接触插塞的高度；位于所述接触插塞上的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述第一磁性隧道结与所述第一接触插塞连接，所述第二磁性隧道结与所述第二接触插塞连接；其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二磁性隧道结的下表面与所述第一磁性隧道结的上表面之间存在第一预设距离。