长鑫存储一项半导体存储器件及制备方法相关专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司近日取得一项名为“隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法”的专利，授权公告号为CN107706145B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2017年10月19日。

本发明提供一种隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法，其中，隔离沟槽薄膜填充结构的制备方法至少包括：提供一制备有外围沟槽的半导体衬底；于半导体衬底上形成预制填充材料，覆盖半导体衬底的上表面及外围沟槽的侧壁和底部且形成一缩口颈；预刻蚀预制填充材料去除缩口颈；于半导体衬底上形成高密度等离子体氧化物材料，覆盖预制填充材料并填充满外围沟槽；去除多余的高密度等离子体氧化物材料和预制填充材料，以得到位于外围沟槽内的高密度等离子体氧化物层和预制填充层。本发明通过预刻蚀来改善预制填充材料的外形，使高密度等离子体氧化物材料与预制填充材料之间不易形成空洞，进而避免后续形成的金属位线出现短路而造成器件失效。