长鑫存储”半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质“专利获授权

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司”半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质“专利获授权，授权公告日为11月14日，授权公告号为CN116540059B。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本公开提供一种半导体芯片测试方法、装置、设备及存储介质，属于半导体制造技术领域。该方法包括：对半导体芯片进行直流应力测试，获得直流应力测试结果，直流应力测试结果包括第一失效单元的失效地址信息；根据第一失效单元的失效地址信息确定交流测试区域；对交流测试区域进行交流应力测试，获得交流应力测试结果，交流应力测试结果包括第二失效单元的失效地址信息；利用第一失效单元的失效地址信息对第一失效单元进行修补以及利用第二失效单元的失效地址信息对第二失效单元进行修补。

据悉，本公开能够减少测试时长，降低测试成本。（校对/刘沁宇）