降低损耗！华为公开射频半导体器件制备方法专利

集微网消息，天眼查显示，12月26日华为技术有限公司新增多条专利信息，其中一条名称为“射频半导体器件、电子设备及射频半导体器件的制备方法”，公开号为CN117293174A。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种射频半导体器件、电子设备及射频半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种实现低射频损耗的射频半导体器件。该射频半导体器件包括衬底、依次堆叠在衬底上的成核层、沟道层、势垒层，其中，成核层、沟道层和势垒层均包含有IIIA族中的元素；成核层还包含有P型杂质，P型杂质包含II族中和/或ⅣA中的至少一种元素，且成核层包括堆叠的至少两层。通过引入包含有P型杂质的至少两层成核层，以抑制在包含有硅的衬底中形成寄生沟道，降低该射频半导体器件的射频损耗。

据悉，截至2022年底，华为持有超过12万项有效授权专利，主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东和非洲。其中，华为在中国和欧洲各持有4万多项专利，在美国持有22,000多项专利。

（校对/刘昕炜）