青禾晶元获超3亿元融资，建设先进键合设备及键合衬底产线

7月5日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司（简称：青禾晶元）官宣完成最新一轮融资，融资金额超3亿元。投资方包括深创投、远致星火、芯朋微，老股东正为资本、芯动能、天创资本继续加持。

青禾晶元消息现显示，该轮融资将被用于先进键合设备及键合衬底产线建设。青禾晶元规划继续扩大生产规模，先进键合设备年产能将扩大至60台（套），以满足日益增长的客户需求，新建40万片8英寸SiC键合衬底产线，加速8英寸SiC衬底量产进程，进一步巩固青禾晶元在国内键合集成技术领域的引领地位。

青禾晶元是一家半导体异质集成技术企业，作为全球少数掌握全套先进半导体材料与异质集成技术的半导体公司之一，致力于面向晶圆级材料异质集成、先进封装、超精密加工等领域，提供前沿技术与解决方案。目前，公司已完成SiC、LTOI、LNOI等多种键合衬底材料以及高端晶圆键合设备的研发与量产。

青禾始终致力于研发高性能低成本复合衬底材料，率先投入运营了国内首个先进半导体复合衬底产线，成功通过自主知识产权研发出SiC复合衬底Emerald-SiC 。同时，公司致力于高品质以及多方位产品发展，已经成功研制出多种6英寸、8英寸同质、异质复合衬底材料，如：导电SiC复合衬底、半绝缘SiC复合衬底、SOI衬底、LN on Si复合衬底、LT on Si复合衬底、Si on ALN复合衬底、LT on Quartz复合衬底等，并具备大规模量产的基础。

5月，青禾晶元官微发文称，成功研制出8寸高性能滤波器用Obsidian-POI衬底。据悉，Obsidian-POI（Piezoelectric on Insulator）衬底是一种结合了压电材料优良性能和绝缘材料稳定性的新型衬底材料，被广泛应用于高性能滤波器、传感器等关键电子器件中。（校对/赵碧莹）