ASML与IMEC合作,开设High NA EUV光刻实验室

ASML于当地时间6月3日宣布,与比利时半导体研究机构IMEC共同开设了一个High NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻实验室,业界可以在这里利用最先进的光刻机TWINSCAN EXE:5000进行试验和优化芯片制造,有助于推动摩尔定律进入埃米(0.1纳米)时代。

英特尔官方也在ASML在社交媒体发布的贴文中回复:“这是芯片制造行业的大日子,很高兴看到这一愿景得以实现,并共同加速下一代芯片的诞生。”2024年4月,英特尔宣布完成组装世界首台ASML High NA EUV光刻机,这款设备价值约3.8亿美元,可用于制造更小制程的芯片。迄今为止,ASML仅向英特尔发货了一台这款光刻机,英特尔计划在其14A制程工艺中使用。

IMEC总裁兼CEO Luc Van den hove表示,“High NA EUV是光刻技术的下一个里程碑,有望在单次曝光中实现20nm间距的金属线/空间图案,从而实现下一代DRAM芯片制造。与现有的多重曝光0.33 NA EUV方案相比,新技术将提高芯片产量、缩短周期,并减少二氧化碳排放量。”

ASML总裁兼CEO Christophe Fouquet表示,“ASML与IMEC共建的High NA EUV光刻实验室,可使我们的客户、合作伙伴和供应商在他们自己的光刻系统在工厂准备就绪之前,有机会提前利用光刻实验室的光刻系统进行工艺开发。这种早期参与生态系统的方式是独一无二的,可以显著加快技术的学习曲线,并促进生产环节的引入。我们致力于在High NA EUV的发展过程中与客户合作并为其提供支持。”

ASML与IMEC共建的实验室位于荷兰费尔德霍芬(Veldhoven),这里也是ASML总部所在地。目前ASML在光刻机设备领域占据主导地位,也是唯一能够制造EUV光刻机的厂商。在芯片制造商中,截至目前只有台积电、三星、英特尔以及SK海力士拥有ASML的EUV光刻机。

全新的High NA EUV光刻机相比早前型号的EUV光刻机,可将分辨率提高60%,有望制造新一代更小、更快的芯片。ASML于6月3日表示,预计客户将在2025~2026年开始使用该设备进行商用制造。

据了解,ASML目前已经接到了十几台High NA EUV光刻机订单。

(校对/张杰)


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