TCL“薄膜的制备方法和发光二极管”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，TCL科技集团股份有限公司近日取得一项名为“薄膜的制备方法和发光二极管”的专利，授权公告号为CN114203941B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2020年9月17日。

本申请涉及显示技术领域，提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括：提供分散液、基质和第一惰性气体气氛，分散液包括p型半导体材料，第一惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物，芳香族化合物能分散或溶解p型半导体材料；在第一惰性气体气氛下，将分散液在基质上进行成膜处理，形成薄膜。通过上述方法制得的薄膜表面平整致密，当应用于发光二极管的空穴功能层时，有利于改善空穴功能层的薄膜形貌，降低空穴功能层与发光层的界面电阻，从而提高器件的空穴传输效率，有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，进而提高器件的光电性能和工作寿命。