Tower Semiconductor 与 Broadcom 合作推出Wi-Fi射频前端模块，树立RFSOI新标准

2024 年 9 月 10 日，以色列 MIGDAL HAEMEK ——高价值模拟半导体代工解决方案的领先厂商 Tower Semiconductor（纳斯达克股票代码：TSEM）宣布，基于其先进的 300mm RFSOI 技术的 Wi-Fi 7 射频前端模块 (FEM) 器件已正式投产。通过与 Broadcom 公司（纳斯达克股票代码：AVGO）的合作，Tower实现了将Wi-Fi FEM 器件集成在单个 RFSOI 芯片上。与现有的非 SOI 技术相比，这一创新解决方案具有卓越的性能和效率，为先进移动应用市场树立了新的标准。

“凭借 Tower RFSOI 技术的独特优势，Broadcom 为 Wi-Fi 7 移动应用市场设计并推出了一系列紧凑型高性能 FEM。”Broadcom 无线通信与连接市场副总裁 Vijay Nagarajan 表示。“这些 FEM 是我们与 Tower 长期合作的成果，是专门为移动 Wi-Fi 应用对于尺寸、能效的严格要求而量身定制的。”

“我们很高兴能与 Broadcom 这样的市场领导者合作，扩展 Tower 领先的 RFSOI 平台，实现集成前端模块设计的创新架构选项，包括一些用于LNA 和功率放大器的特殊器件，以及用于缩小逻辑面积的高栅密度标准单元。”Tower Semiconductor 总裁 Marco Racanelli 博士表示。“Broadcom 在射频 FEM 产品设计方面的一流能力与我们的技术优势相辅相成，从而使两家公司都实现了前所未有的性能和集成度。这种合作关系凸显了我们与客户保持一致的路线图和推进突破性产品的决心，也加强了 Tower 致力于提供卓越技术和制造解决方案、助力客户获得成功的决心。”

这种高度集成的工艺缩小了芯片面积，同时还支持新功能和新频段。Tower 的 RFSOI 技术平台具有同类最佳的硅基开关和低噪声放大器性能，已在行业内广泛应用。将功率放大器集成到该技术中，可消除在独立的芯片之间传递信号所带来的额外损耗，而高电阻率 SOI 基底面可支持电感器等无源元件，从而以更高的品质因数提高功率放大器的效率。

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